新聞資訊
NEWS INFORMATION半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀延長(zhǎng)使用壽命的建議
2025-06-12 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，高帶寬存儲(chǔ)器(HBM,HighBandwidthMemory)因其較好的數(shù)據(jù)傳輸性能，在高性能計(jì)算、人工智能和圖形處理等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。而半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀作為評(píng)估其電氣性能與信號(hào)完整性的重要設(shè)備，承擔(dān)著確保產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性的關(guān)鍵任務(wù)。為了充分發(fā)揮HBM測(cè)試儀的投資效益，延長(zhǎng)其使用壽命，必須從日常使用、維護(hù)保養(yǎng)以及環(huán)境管理等多個(gè)方面入手。一、規(guī)范操作流程，避免人為誤操作HBM測(cè)試儀結(jié)構(gòu)精密，涉及高速信號(hào)采集、電源管理、探針定位等復(fù)雜系統(tǒng)。因此，操作...TET靜電測(cè)試儀的環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試
2024-07-25 靜電現(xiàn)象在工業(yè)生產(chǎn)和日常生活中普遍存在，尤其是在電子制造、半導(dǎo)體和精密機(jī)械等領(lǐng)域，靜電防護(hù)顯得尤為重要。TET靜電測(cè)試儀作為一種高精度、高可靠性的測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種靜電敏感環(huán)境中。為了確保其在不同環(huán)境條件下的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性，環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試成為了關(guān)鍵的一環(huán)。一、環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試的重要性環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試旨在評(píng)估設(shè)備在各種異常環(huán)境條件下的性能表現(xiàn)，確保其能夠在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中可靠運(yùn)行。對(duì)于TET靜電測(cè)試儀而言，其工作環(huán)境可能包括高溫、低溫、高濕、低濕、電磁干擾等多種復(fù)雜條件。通過(guò)環(huán)...日本半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀的校準(zhǔn)與標(biāo)定方法
2024-07-15 日本半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀是一種用于評(píng)估電子元器件在人體靜電放電(ESD)條件下性能的測(cè)試設(shè)備。由于其在半導(dǎo)體制造和測(cè)試中的重要性，確保其準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。本文將詳細(xì)介紹日本半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀的校準(zhǔn)與標(biāo)定方法。1.校準(zhǔn)與標(biāo)定的重要性校準(zhǔn)與標(biāo)定是確保測(cè)試儀器準(zhǔn)確性和可靠性的關(guān)鍵步驟。通過(guò)定期校準(zhǔn)與標(biāo)定，可以消除設(shè)備在使用過(guò)程中由于環(huán)境變化、機(jī)械磨損等因素引起的測(cè)量誤差，保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。2.校準(zhǔn)與標(biāo)定的基本步驟半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀的校準(zhǔn)與標(biāo)定主要包括以下幾個(gè)步驟：-準(zhǔn)備工作...日本TET靜電ESD測(cè)試儀在不同行業(yè)中的應(yīng)用前景
2024-04-26 隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，靜電放電（ESD）問(wèn)題已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的重要因素。日本TET靜電ESD測(cè)試儀作為一種先進(jìn)的靜電測(cè)試設(shè)備，在電子制造業(yè)、通訊行業(yè)、航空航天、醫(yī)療設(shè)備等不同領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將探討靜電ESD測(cè)試儀在這些行業(yè)中的應(yīng)用前景。一、電子制造業(yè)在電子制造業(yè)中，靜電放電可能導(dǎo)致電子元件損壞、性能下降甚至產(chǎn)品失效。靜電ESD測(cè)試儀可以準(zhǔn)確地測(cè)量靜電放電的強(qiáng)度和敏感性，幫助企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決靜電問(wèn)題，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。二、通訊行業(yè)在通訊行業(yè)中...閂鎖試驗(yàn)機(jī)臺(tái)的關(guān)鍵功能與應(yīng)用探析
2024-03-24 在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，閂鎖效應(yīng)(Latch-up)是一種常見(jiàn)的故障模式，它會(huì)導(dǎo)致電路內(nèi)部形成低阻通路，從而引發(fā)過(guò)電流、過(guò)熱甚至器件長(zhǎng)久性損壞。為有效防止此類失效現(xiàn)象，確保電子產(chǎn)品的可靠性和安全性，閂鎖試驗(yàn)機(jī)臺(tái)作為一種專業(yè)測(cè)試設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生，并在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。首先，該設(shè)備的核心功能在于模擬和檢測(cè)集成電路中的閂鎖效應(yīng)。其通過(guò)精密的電壓應(yīng)力源以及電流監(jiān)控系統(tǒng)，可以精確控制施加于芯片上的電源電壓、瞬態(tài)電流等參數(shù)，以觸發(fā)并觀察潛在的閂鎖現(xiàn)象。該設(shè)備能夠根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)如JE...ESD測(cè)試機(jī)臺(tái)如何模擬真實(shí)環(huán)境下的靜電沖擊效應(yīng)
2024-03-21 靜電放電(ElectrostaticDischarge，簡(jiǎn)稱ESD)是電子設(shè)備制造和使用過(guò)程中面臨的重要挑戰(zhàn)之一。靜電沖擊可能導(dǎo)致微電子元件瞬間失效或性能下降，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量和使用壽命。為了評(píng)估并提高產(chǎn)品的抗靜電能力，ESD測(cè)試機(jī)臺(tái)被廣泛應(yīng)用于模擬真實(shí)環(huán)境下的靜電沖擊效應(yīng)。該設(shè)備通過(guò)高度仿真的方式模擬了人體模型(HBM)和機(jī)器模型(MM)等實(shí)際場(chǎng)景中的靜電放電過(guò)程。在HBM模式下，測(cè)試機(jī)臺(tái)模擬人手接觸產(chǎn)品時(shí)產(chǎn)生的靜電釋放現(xiàn)象，包括人體電阻、放電路徑以及放電電流波形等多個(gè)關(guān)鍵...公司郵箱： jfyp@tu-zhe.cn
服務(wù)熱線： 021-61656613
公司地址： 上海市浦東新區(qū)金橋路939號(hào)207室
Copyright © 2025 上海途哲電子設(shè)備有限公司 Al Rights Reserved
備案號(hào)：滬ICP備19022890號(hào)-2
技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) 管理登錄 sitemap.xml
關(guān)于我們
公司簡(jiǎn)介 企業(yè)文化 榮譽(yù)資質(zhì) 聯(lián)系我們快速通道
產(chǎn)品中心 新聞中心 技術(shù)文章 在線留言推薦產(chǎn)品
HBM、MM測(cè)試儀 日本HBM測(cè)試儀 日本半導(dǎo)體MM測(cè)試儀 日本半導(dǎo)體HBM測(cè)試儀
當(dāng)前位置：